NXP 반도체는 5G 네트워크를 위한 질화갈륨(GaN) 및 Si-LDMOS 기술 포트폴리오를 확장했다. 이 제품들은 소형 풋프린트에서 업계 최고 성능을 제공해 차세대 5G 셀룰러 네트워크 구현에 적합하다.
5G 연결을 가능케 하는 요소에는 스펙트럼 확장, 고차 변조, 캐리어 어그리게이션(carrier aggregation), 전 차원 빔 형성 등이 있다. 해당 요소들은 향상된 모바일 광대역 연결을 지원하기 위해 확장된 기술 기반을 필요로 한다. 스펙트럼 사용 및 네트워크 풋프린트와 더불어, 4개의 송신 안테나(TX)에서 64TX 이상에 이르는 다중 입력, 다중 출력(MIMO) 기술이 사용된다. 5G 네트워크의 미래는 GaN 및 Si-LDMOS 기술에 달려 있으며, NXP는 RF 파워 증폭기 개발의 최전선에 서 있다.
NXP는 IMS 2018에서 새로운 RF GaN 광대역 파워 트랜지스터를 선보이며, 매크로의 에어패스트(Airfast) 3세대 Si-LDMOS 포트폴리오와 실외 소형 셀 솔루션을 한층 확장한다. 새롭게 선보이는 제품은 다음과 같다.
- A3G22H400-04S: 40W 기지국에 적합한 GaN 제품으로, 최대 56.6% 효율과 15.4 dB 게인(gain)을 내며, 1800MHz~2000MHz 대의 셀룰러 대역을 지원한다.
- A3G35H100-04S: 43.8% 효율 및 14dB 게인을 제공하는 GaN 제품으로3.5GHz에서 16TX MIMO 솔루션을 구현할 수 있다.
- A3T18H400W23S: Si-LDMOS 제품으로 최대 53.4%에 이르는 도허티 효율(Doherty efficiency)과 17.1dB 게인으로 1,8GHz에서 5G로 나아가는 길을 제공한다.
- A3T21H456W23S: 2.11GHz에서 2.2GHz까지 90MHz 대역 전체를 지원하는 이 솔루션은 효율성과 RF 파워, 신호 대역폭과 관련해 NXP가 가진 동급 최강의 Si-LDMOS 성능을 보여준다.
- A3I20D040WN: NXP의 통합 초광대역 LDMOS 제품군에 속하는 이 솔루션은 32dB 게인의 365MHz 광대역 클래스 AB 성능과 10dB OBO에서 18% 효율로 46.5dBm 피크 전력을 제공한다.
- A2I09VD030N: 이 제품은 34.5dB 게인의 클래스 AB 성능과 10dB OBO에서 20% 효율로 46dBm 피크 전력을 제공하는 우수 성능을 자랑한다. 이 제품의 RF 대역폭은 575MHz~960MHz이다.
GaN, Si-LDMOS, SiGe 및 GaAs 등 NXP가 보유한 폭넓은 RF 파워 기술은 다양한 수준의 통합으로 주파수 및 전력 스펙트럼에 걸친 5G 제품 옵션을 구현할 수 있는 역량을 제공한다.
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