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로옴, AEC-Q101 준거한 SiC MOSFET ‘SCT3xxxxxHR 시리즈’ 10기종 추가

기사입력 : 2019년 03월 14일 16시 13분
ACROFAN=권용만 | yongman.kwon@acrofan.com | SNS
로옴(ROHM) 주식회사(본사 : 교토)는 차량용 충전기 및 DC/DC 컨버터용으로 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하는 SiC MOSFET ‘SCT3xxxxxHR 시리즈’에 새롭게 10개의 기종을 추가하여 총 13기종으로 업계 최다 라인업을 실현했다고 밝혔다.

로옴은 2010년에 세계 최초로 SiC MOSFET의 양산화에 성공하는 등 SiC 파워 디바이스에 있어서 항상 업계를 리드하는 제품을 개발하고 양산 체제를 구축해왔다. 수요가 확대되는 자동차기기 시장에 있어서도 자동차기기에 적합한 품질을 일찍이 확립했다. 2012년부터 차량용 충전기에 적합한 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD)를 공급하였으며, 2017년부터는 차량용 충전기 및 DC/DC 컨버터용으로 SiC MOSFET의 공급을 개시했다.

이번에 새롭게 추가한 10기종은 Trench 게이트 구조를 채용한 오토모티브 대응 SiC MOSFET로, 2018년 12월부터 월 50만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 생산 거점은 전공정 로옴 아폴로 주식회사(후쿠오카), 후공정 ROHM Integrated Systems(Thailand) Co., Ltd.(태국)이다.

최근 환경 의식의 고조 및 연료 가격 상승을 배경으로 자동차의 전동화가 가속화되고 있다. 한편 전기자동차(EV)는 보급이 확대되고 있지만, 항속 거리가 짧다는 점이 과제 중 하나로 떠오르고 있다. 항속 거리를 늘리기 위해 탑재 배터리의 용량은 증가하는 경향이 있으며, 이에 따라 충전 시간의 단축도 요구되고 있다.

이를 실현하기 위해서는 한층 더 고출력·고효율의 차량용 충전기(11kW, 22kW 등)가 필요하여, SiC MOSFET를 채용하는 케이스가 증가하고 있다. 또한 유럽을 중심으로 탑재 배터리의 고전압화(800V) 추세가 있어, 한층 더 고내압·저손실의 파워 디바이스가 필요시되고 있다.

이러한 시장 요구에 대응하기 위해 로옴은 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하는 제품 라인업을 강화하고 있다. 이번 라인업 추가로, SiC SBD와 SiC MOSFET를 합해 총 34기종을 양산함으로써 업계 최고의 라인업을 실현했다. SiC MOSFET는 650V, 1200V 내압의 라인업을 구비하여 최적의 솔루션을 제안하고 있다.


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