에이엘티(172670, 대표이사 이덕형)가 ‘열충격이 없는 SiC 웨이퍼 후공정 Dicing 장치 및 공법’에 대한 특허를 출원했다고 21일 밝혔다.
이번 기술은 SiC & Si 웨이퍼 Dicing 공법에 관한 것으로, 웨이퍼 소잉시 웨이퍼에 가해지는 열적 손상 및 웨이퍼의 표면에 오염물질이 안착하는 것을 최소로 하게 되며, 이를 통해 절단유효영역 및 스크라이브 래인의 폭을 최소화함으로써 획기적으로 수율을 극대화할 수 있는 첨단기술이다.
에이엘티는 이미 Si 반도체에 적용되는 Rim Cut 기술을 국내 유일하게 상용화에 성공하였으며, 이를 기반으로 차세대 전력반도체인 SiC에 응용할 수 있는 첨단 기술을 상용화하기 위해 이번 특허를 출원하였다. 또한 열충격이 없는 SiC 웨이퍼 후공정 Dicing 기술은 다양한 산업에도 적용할 수 있는 기술로 기술의 확장성은 매우 크다고 할 수 있다.
한편, SiC 웨이퍼는 경도가 높아 일반 절단이 아닌 특수하게 적용되어지는 Dicing 기술을 통해 작업시간을 획기적으로 단축해야 하고, SiC 웨이퍼가 고가이기 때문에 웨이퍼의 집적도를 향상시켜야 경제성도 극복할 수 있는 Dicing 기술력이 필요하다.
에이엘티 관계자는 “회사는 선제적 기술개발로 고객 니즈를 극대화하고 있다”며, “고온 고전압 환경에서 유리하고, 전력 효율이 높은 SiC 반도체는 전기차 및 신재생 발전설비 등 성장산업분야에서 주로 사용되고 있어 산업발전과 함께 수요는 급격히 증가할 것으로 예상된다”고 밝혔다.
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