에이엘티(172670, 대표이사 이덕형)가 ‘열충격이 없는 SiC 웨이퍼 후공정 Dicing 장치 및 공법’에 대한 특허를 출원했다고 21일 밝혔다.
이번에 특허 출원한 기술은 SiC & Si 웨이퍼 Dicing 공법에 관한 것으로, 웨이퍼 소잉시 열적 손상 및 오염물질 발생을 극도로 억제함으로써 스크라이브 레인 폭의 획기적 축소를 통한 다이 수 증대와 수율 및 품질 안정화를 달성할 수 있는 첨단 기술이다.
에이엘티는 Si 기반 전력반도체인 IGBT에 적용되는 Rim Cut 기술을 국내 유일하게 상용화에 성공하여 후공정 가공 분야에 대한 기술력을 입증한 바 있으며, 이를 차세대 전력반도체인 SiC에 응용할 수 있도록 지속적인 연구를 해 온 결과 이번에 관련 특허를 출원하게 되었다. 열충격이 없는 웨이퍼 dicing 기술은 다양한 산업에 적용할 수 있어 그 확장성이 매우 크다고 할 수 있다.
SiC 웨이퍼는 경도가 높아 Si에 적용되는 기존 dicing 기술로는 가공 시간이 지나치게 길고 품질 열화의 가능성도 높을 뿐 아니라 SiC 웨이퍼가 고가이기 때문에 경제성 확보를 위하여 웨이퍼 내 다이 수를 극대화하도록 절단 폭의 최소화가 요구되는 바 이번 기술은 이러한 문제점들을 대부분 해결할 수 있는 가능성을 제시하고 있다.
에이엘티 관계자는 “회사는 선제적 기술개발로 고객 니즈에 부합하도록 노력하고 있다”며, “고온 고전압 환경에서 유리하고, 전력 효율이 높은 SiC 반도체는 전기차 및 신재생 발전설비 등 성장산업분야에서 주로 적용되고 있어 향후 시장이 급격히 성장할 것으로 예상된다”고 밝혔다.
에이엘티는 지난 7월 코스닥에 상장한 비메모리 반도체 분야 후공정 테스트 전문기업으로 △CIS △PM-IC △DDI △MCU 등 웨이퍼 테스트와 후공정 가공 및 패키징 등… 외주반도체패키지테스트(OSAT) 사업을 영위하고 있으며, AP 등 고부가가치 SoC 제품으로 그 영역 확대를 위해 노력하고 있다.
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